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建议筹建一个全省乃至国家级的共建共享，全开放、市场化运作的政产学研深度融合的技术创新体系；政府与国内优势科研单位、龙头企业合作共建共享化合物半导体创新实验载体，协同开展关键技术攻关，助力企业提升研发效率。

第三代半导体材料是我省“315”科技创新体系中“前沿半导体”战略领域的重点研发方向。近年来，我厅按照平台、项目、企业一体化配置的思路，推进第三代半导体材料科技创新。一是推进关键核心技术攻关。聚焦碳化硅领域，支持浙江大学、中国科学院宁波材料所、浙大国际科创中心、乾晶半导体、立昂东芯微、华灿光电等省内优势创新主体围绕宽禁带半导体、碳化硅、GaN芯片、光电半导体等重点攻关方向，承担省“尖兵”“领雁”项目12项，省财政补助6381万元，带动项目总投入2.88亿元。项目实施已取得6英寸导电型碳化硅衬底材料、6英寸双片式碳化硅外延设备等一批重大科技成果。二是布局重大科创平台。围绕第三代半导体材料产业，我省已布局了硅及先进半导体材料全国重点实验室，甬江实验室等1家省实验室，CMOS集成电路成套工艺与设计等1家省技术创新中心，以及宽禁带功率半导体材料与器件、有机硅材料、第三代半导体材料与器件等3家省重点实验室，硅基新材料、半导体新材料与器件、半导体材料生长加工装备等11家省重点企业研究院。

下一步，我们将重点抓好三个方面工作：一是建设化合物半导体创新载体。在专家论证的基础上，支持第三代半导体材料与器件重点实验室（依托华灿光电有限公司建设）认定为全省重点实验室，并依托该实验室开展第三代化合物半导体材料的技术攻关、验证中试、成果转化等工作。二是开展关键技术攻关。聚焦大尺寸碳化硅、碳化硅芯片等重点攻关方向，组织实施一批“尖兵”“领雁”省重点研发计划项目，攻克一批“卡脖子”难题，打造一批标志性成果。三是实施科技成果转化。依托“浙里大仪共享”平台，梳理重点载体平台和特色仪器，形成“集成电路产业链仪器树”，推动高校院所仪器设备共享。支持并指导金华市整合产学研上下游资源，为化合物半导体创新载体提供概念验证、供需对接、成果交易等增值化服务，助力提升产业创新水平。